室温脉冲激光沉积法制备铜锌锡硫/硫化铋薄膜异质结

摘要

本发明提供一种基于铜锌锡硫/硫化铋材料的全硫化物薄膜异质结，属于半导体器件技术领域。本发明公开了一种精确制备铜锌锡硫/硫化铋薄膜异质结的方法，所述的异质结采用室温脉冲激光沉积技术、在真空环境中原位沉积得到，并通过原位热处理替代高温硫化过程，精确控制各层元素化学计量比、同时保证各层薄膜良好的结晶性及均匀致密的形貌，确保层间界面清洁、抑制表面缺陷；易于调控产物薄膜的厚度，制备工艺精确、可控性强、制备效率高。本发明实现了铜锌锡硫与硫化铋良好匹配、耦合形成异质结结构，获得良好的整流及光电响应特性，可用于制作相关半导体光电器件，对硫族化合物薄膜在半导体器件领域的实用化具有重要意义。