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公开/公告号CN112916004A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;
申请/专利号CN201911242745.8
发明设计人 于云;孙付通;冯爱虎;陈兵兵;于洋;米乐;宋力昕;
申请日2019-12-06
分类号B01J23/72(20060101);B01J35/02(20060101);C01B32/186(20170101);
代理机构31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);
代理人曹芳玲;郑优丽
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号
入库时间 2023-06-19 11:21:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-09
授权
发明专利权授予
机译: 通过势垒金属膜的表面处理控制CVD铜膜初始生长的方法
机译: 阻挡金属膜表面处理化学气相沉积(CVD)控制铜膜初始生长的方法
机译:使用区域选择性ALD进行铜膜上CVD生长的石墨烯的可视化以进行质量管理
机译:催化剂膜厚对PECVD生长的垂直取向多层石墨烯结构的影响
机译:观察石墨烯生长:多晶铜上可扩展石墨烯生长期间的催化剂-石墨烯相互作用
机译:LPCVD法在铜膜上生长石墨烯层数对铜膜数量和电性能的影响
机译:MOCVD铜膜的成核与生长机理
机译:使用超薄Pt催化剂通过PECVD在GaN LED外延片上生长类似于石墨烯的无转移薄膜用于透明电极应用
机译:通过将铜纳米颗粒直接沉积在CVD生长的石墨烯/铜膜上获得的全铜等离子三明治系统及其在SERS中的应用
机译:将CVD生长的单层石墨烯转移到任意基材上。