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金属氧化物异质结光电刺激突触晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及的金属氧化物异质结光电刺激突触晶体管,其包括衬底、栅电极、介电层、第一有源层、第二有源层、二维电子气层、以及源电极和漏电极,第一有源层为金属氧化物异质结电刺激有源层,第二有源层为金属氧化物异质结光刺激有源层,第一有源层通过电脉冲信号刺激调制源电极和漏电极之间的电导率从而实现基于电刺激调制的突触可塑性,第二有源层在白光或不同波长的光刺激下产生兴奋性突触后电流并实现基于光刺激调制的突触可塑性,集成了光刺激和电刺激调制的突触可塑性于单个晶体管上,结构简单,二维电子气实现较高的载流子迁移率,从而提高突触晶体管的性能,且可运用于可穿戴设备,柔性电子器件等器件上。

著录项

  • 公开/公告号CN112885911A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西交利物浦大学;

    申请/专利号CN202110141958.2

  • 申请日2021-02-02

  • 分类号H01L31/032(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/113(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构32295 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人叶栋

  • 地址 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高等教育区仁爱路111号

  • 入库时间 2023-06-19 11:11:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-27

    发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L31/032 专利申请号:2021101419582 申请公布日:20210601

    发明专利申请公布后的撤回

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