基于石墨炔/二硫化钼异质结的锂离子调控突触晶体管

目录

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第一章 绪论

1.1课题研究背景及意义

1.2离子栅调控突触晶体管

1.3石墨炔储锂的应用

1.4本论文主要研究内容及章节分布

第二章 GDY/MoS2异质结的制备及表征

2.1实验设备及药品

2.2多层MoS2的制备

2.3晶体管源漏电极的光刻工艺

2.4范德瓦尔斯外延法合成石墨炔/二硫化钼异质结

2.5 GDY/MoS2离子门控突触晶体管制作

2.6结果与表征

2.7本章小结

第三章 基于GDY/MoS2异质结的锂离子调控突触晶体管

3.1引言

3.2 GDY/MoS2基离子门控晶体管突触行为模拟

3.3柔性GDY/MoS2基离子门控晶体管

第四章 神经形态计算及存内计算

4.1神经形态计算仿真

4.2依赖尖峰时间的可塑性和“巴甫洛夫”效应

4.3存内逻辑计算存储器

第五章 全文总结和展望

5.1 全文总结

5.2 工作展望

参考文献

发表论文和科研情况说明

致谢