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一种调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法

摘要

本发明涉及一种调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法,MEMS麦克风包括基底、设置在基底上的振膜、及设置在振膜上的背板,基底具有空腔,调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法包括:提供等离子体化学气相沉积设备,等离子体化学气相沉积设备利用射频产生N2O等离子体,N2O等离子体穿过空腔作用在振膜上,在振膜上形成氮氧化硅层,改变MEMS麦克风的吸合电压,使得MEMS麦克风的吸合电压趋向减小分布,满足使用范围要求,提高产品良率,节约资源。

著录项

  • 公开/公告号CN112887895A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202110105032.8

  • 发明设计人 吴庆才;侯永涛;

    申请日2021-01-26

  • 分类号H04R31/00(20060101);

  • 代理机构32295 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人唐静芳

  • 地址 215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢3楼

  • 入库时间 2023-06-19 11:11:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-07

    授权

    发明专利权授予

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