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公开/公告号CN112831777A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 扬州工业职业技术学院;
申请/专利号CN202011110365.1
发明设计人 郭林炀;马晓辉;王丽霞;邹永刚;周正平;钟志超;黄华睿;
申请日2020-10-16
分类号C23C22/05(20060101);C23C22/78(20060101);H01S5/028(20060101);
代理机构32203 南京理工大学专利中心;
代理人邹伟红
地址 225127 江苏省扬州市华扬西路199号扬子津科教园
入库时间 2023-06-19 11:05:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-05-26
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C23C22/05 专利申请号:2020111103651 申请公布日:20210525
发明专利申请公布后的撤回
机译: 氧化物垂直腔面发射激光器的钝化方案
机译: 钝化垂直腔面发射激光器
机译:硅衬底上生长的氢等离子体钝化的AlGaAs / GaAs垂直腔面发射激光器结构中增强的自发发射
机译:ZnSe用于高功率GaAs基激光器的镜面钝化
机译:无铝有源区高功率半导体二极管激光器镜面的新型钝化工艺
机译:掩埋在非晶GaAs钝化层中的InGaAs垂直腔面发射激光器
机译:全外延模式和电流受限的砷化镓基垂直腔面发射激光器。
机译:GaN基垂直腔面发射激光器中腔长和散热的重要性
机译:具有有效缺陷钝化和高电子迁移率的GaAs / AlGaAs核壳纳米线的调制掺杂
机译:用于波分复用高速分布式计算的InGaasp / Inp基1.3 / 1.55微米垂直腔面发射激光器。阶段1。