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基于CVD技术在异形件表面制备三维金属单质薄膜的设备及方法

摘要

本发明涉及一种基于CVD技术在异形件表面制备三维金属单质薄膜的设备及方法。该设备包括反应室腔体、喷液雾化系统、气体供给系统、真空系统、温控系统、数据采集系统以及计算机控制系统,其中反应室腔体分别与喷液雾化系统、真空系统、温控系统连通,气体供给系统分别与反应室腔体、喷液雾化系统连通,计算机控制系统与数据采集系统相连,数据采集系统与反应室腔体、喷液雾化系统、气体供给系统、真空系统、温控系统相连。液态前驱体随惰性气体输送至挥发罐顶部气化喷出,在载流气和还原保护气作用下进入反应室腔体内部并再次喷出,最终沉积在加热台上的异形件表面,得到三维金属单质薄膜。该方法具有沉积速率高、沉积范围广、绕镀性好等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN112813406A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉工程大学;

    申请/专利号CN202011604587.9

  • 发明设计人 赵培;刘莎;徐源来;

    申请日2020-12-30

  • 分类号C23C16/18(20060101);C23C16/448(20060101);C23C16/52(20060101);

  • 代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人闭钊

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号

  • 入库时间 2023-06-19 11:02:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-07-14

    授权

    发明专利权授予

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