公开/公告号CN112760706A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-07
原文格式PDF
申请/专利权人 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司;
申请/专利号CN202011537080.6
申请日2020-12-23
分类号C30B15/26(20060101);C30B29/06(20060101);
代理机构11243 北京银龙知识产权代理有限公司;
代理人许静;张博
地址 710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
入库时间 2023-06-19 10:54:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-15
专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B15/26 专利申请号:2020115370806 登记生效日:20220701 变更事项:申请人 变更前权利人:西安奕斯伟硅片技术有限公司 变更后权利人:西安奕斯伟材料科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室 变更后权利人:710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室 变更事项:申请人 变更前权利人:西安奕斯伟材料技术有限公司 变更后权利人:西安奕斯伟硅片技术有限公司
专利申请权、专利权的转移
机译: 带有多层生长导向的导径SiC升华生长
机译: SCFV-FC减径器,用于转化具有高亲和力,抗性和特异性的β1生长因子
机译: 在自动控制晶体生长的情况下确定轮径的方法。