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用于碳化硅单晶生长的碳化硅粉体的制备方法

摘要

本发明涉及一种用于碳化硅单晶生长的碳化硅粉体的制备方法,其针对市面可采购的高纯度β碳化硅粉体通过进一步的热处理,经过热处理工序的高纯度β碳化硅粉末有效的转化为α碳化硅粉末,而α‑碳化硅具有合适的计量成分,适合作为晶体生长原料,以最大限度地减少多孔粉末的影响,并最大限度地提高晶体粉末在生长晶体的效果。本发明的优化热处理最佳温度曲线,时间不足或温度太低不能完金消除原粉体中的自由金属硅和粉末中的多孔粉末;反之时间太长或太高会造成粉末石墨化。

著录项

  • 公开/公告号CN112744816A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 芯璨半导体科技(山东)有限公司;

    申请/专利号CN202110126924.6

  • 申请日2021-01-29

  • 分类号C01B32/956(20170101);C30B29/36(20060101);C30B35/00(20060101);

  • 代理机构35205 泉州市文华专利代理有限公司;

  • 代理人陈雪莹

  • 地址 250000 山东省济南市历城区二环东路3749号五楼501室

  • 入库时间 2023-06-19 10:52:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-02-28

    授权

    发明专利权授予

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