半导体器件中接触孔的制作方法及半导体器件

摘要

本申请涉及一种半导体器件中接触孔的制作方法及半导体器件；其中，半导体器件中接触孔的制作方法，包括步骤：在接触孔内或接触孔底部的结构上形成接触主体层和接触辅助层，接触主体层和接触辅助层的材料不相同；刻蚀接触主体层和接触辅助层，刻蚀后剩余的接触主体层表面和接触辅助层表面作为第一界面，从而使得刻蚀后接触主体层具有与刻蚀后接触辅助层不同的高度，得到凹凸不平的第一界面；向接触孔内填充导电材料，接触孔内导电材料的底部形成与第一界面相匹配的轮廓。本申请能够增大接触孔内导电材料与接触层之间的粘聚力，提高器件性能。