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一种飞秒激光直写光子芯片衍射光栅检测方法

摘要

为了实现光子芯片中光的衍射问题,本发明提出一种基于飞秒激光制备的光子芯片单元的制作方法。本发明采用飞秒激光制备完成,通过将激光光斑聚焦到SOI材料表面进行刻蚀,采用逐线法写制出间距为10nm、深度为4μm、长度100μm的锯齿型光栅结构。

著录项

  • 公开/公告号CN112730331A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京信息科技大学;

    申请/专利号CN202011411635.2

  • 申请日2020-12-04

  • 分类号G01N21/47(20060101);G02B6/136(20060101);G03F7/20(20060101);

  • 代理机构11416 北京律恒立业知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人王琦;庞立岩

  • 地址 100085 北京市海淀区清河小营东路12号北京信息科技大学光电学院

  • 入库时间 2023-06-19 10:48:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01N21/47 专利申请号:2020114116352 申请公布日:20210430

    发明专利申请公布后的驳回

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