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适用于FIB技术制样的透射电子显微镜磁电原位样品杆

摘要

本发明公开了一种适用于FIB技术制样的透射电子显微镜磁电原位样品杆,属于微纳米材料测量研究领域。包括样品杆杆头、样品杆杆身、手握柄,所述的样品杆杆身由同轴设置的前端细杆和后端粗杆组成,所述的样品杆杆头设有适用于FIB技术制样的载物台,载物台由固定底片和压盖组成。载物台底片两侧有通孔可以引线路通电。样品杆杆头上设置有微型电磁铁。本发明可以直接装载FIB专用微栅,应用于透射电子显微镜中在洛伦兹模式下直接原位观察磁性结构在水平磁场的作用下的磁结构磁相互作用机制和动态磁性调控机理。亦可以在透射电镜中其他模式下直接原位观察样品在水平磁场和通电状态下的微观结构变化。

著录项

  • 公开/公告号CN112697818A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 兰州大学;

    申请/专利号CN202011471198.3

  • 申请日2020-12-14

  • 分类号G01N23/04(20180101);G01N23/20058(20180101);G01N23/20008(20180101);G01N23/20025(20180101);G01N1/28(20060101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人郑海峰

  • 地址 730000 甘肃省兰州市天水南路222号

  • 入库时间 2023-06-19 10:43:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-07-25

    授权

    发明专利权授予

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