聚焦离子束(FIB)的透射电镜制样

摘要

@@ 亚微米IC芯片的发展,对于TEM在IC的失效分析和工艺监控过程中所担负的工作提出了越来越高的要求.许多方法和手段被用于解决TEM制样这个问题[1].FIB技术被证明为现今最有效的精确定位制样的方法[2].原有TEM制样技术的定位减薄难,单次制样成功率低,且对单一器件的定位能力差的难题,可通过电视监测和聚焦离子磨削的方法加以克服.利用这种技术,可以完成以往难以实现的IC芯片的精密定位制样工作,使透射电镜在亚微米级IC的分析中达到实用性阶段.本文介绍该技术使用的具体方法.