一种带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器及其制作方法

摘要

本发明属于微电子材料与半导体器件技术领域，一种带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：(1)对商业用Pt/Ti/SiO2/Si衬底进行清洗，(2)利用下电极掩模版沉积金属Hf缓冲层薄膜的制作，(3)利用下电极掩模版沉积HfO2阻变功能层薄膜的制作，(4)HfO2阻变功能层薄膜进行氮气退火处理，(5)利用上电极掩模版沉积金属上电极层薄膜的制作，最终完成带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器(TiN/HfO2/Hf/Pt)制作。本发明利用磁控溅射制作了一种带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器，结构简单，重复性高，降低了忆阻器的制作成本，具有科学研究价值，有利于第四种无源电路元件的推广与应用。