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机译:金属与电介质的有效功函数:Pt-HfO_2界面的第一性原理研究
机译:Ni,HfO2薄膜和Ni / HfO2界面的功函数随外部电场的变化
机译:金属/高k电介质接口的新型有效工作功能理论 - 金属/高k HFO2和LAJCH介电接口的应用 -
机译:碳化硅上原始,插层和功能化外延石墨烯的同步X射线研究(0001)。
机译:通过尺寸修饰缺陷和掺杂设计和调整石墨烯功函:第一性原理研究
机译:2D MOS2 /石墨烯界面NA嵌入和扩散机制的第一原理研究