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用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法

摘要

本文公开一种用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法。用于氮化硅层的蚀刻组合物包含:无机酸或其盐;溶剂;选自酸改性二氧化硅及酸改性硅酸的群组中的至少一者;及含有四个或更多个氮原子的环状化合物。本发明当在高温下用于蚀刻时可显著增加氮化硅层对氧化硅层的蚀刻选择性。

著录项

  • 公开/公告号CN112680228A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星SDI株式会社;

    申请/专利号CN202011107899.9

  • 申请日2020-10-16

  • 分类号C09K13/06(20060101);H01L21/311(20060101);

  • 代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨贝贝;臧建明

  • 地址 韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号

  • 入库时间 2023-06-19 10:41:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-19

    授权

    发明专利权授予

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