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公开/公告号CN112680228A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-20
原文格式PDF
申请/专利权人 三星SDI株式会社;
申请/专利号CN202011107899.9
发明设计人 崔正敏;张俊英;金贤贞;文炯朗;李智惠;韩权愚;黄基煜;
申请日2020-10-16
分类号C09K13/06(20060101);H01L21/311(20060101);
代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;
代理人杨贝贝;臧建明
地址 韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号
入库时间 2023-06-19 10:41:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-19
授权
发明专利权授予
机译: 使用相同的蚀刻组合物用于氮化硅层的氮化硅层和氮化硅层的蚀刻工艺
机译: 用于氮化硅层的蚀刻组合物及其使用相同蚀刻氮化硅层的方法
机译: 用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用相同的氮化硅层的蚀刻工艺
机译:原位监测使用氢等离子体和氟基团的原子层蚀刻氮化硅的原子层蚀刻
机译:使用氢氟碳化合物化学的循环工艺对氮化硅进行原子层蚀刻
机译:使用红外退火的氮化硅原子层蚀刻可缩短氟硅酸铵的解吸时间
机译:通过RIE氮化物蚀刻工艺研究氮化硅蚀刻速率(Si 3 INM> N 4 IM>)层的研究
机译:金属氧化物的原子层蚀刻和金属氟化物的原子层沉积。
机译:掺杂或量子点层作为使用反射各向异性光谱(RAS)的III / V半导体反应离子蚀刻(RIE)的原位蚀刻静止指示器
机译:原子组合物对基于AlGaN / GaN-异丙蛋白的功率晶体管氮化硅氮化硅血浆化学蚀刻速率的影响研究
机译:用于HF溶液中氮化硅蚀刻的实验设计