首页> 外文OA文献 >Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода

【2h】

Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода

机译：原子组合物对基于AlGaN / GaN-异丙蛋白的功率晶体管氮化硅氮化硅血浆化学蚀刻速率的影响研究

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
В.И. Гармаш; В.Е. Земляков; В.И. Егоркин; А.В. Ковальчук; С.Ю. Шаповал;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2020
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Deep-Level Traps in AlGaN/GaN- and AlInN/GaN-Based HEMTs With Different Buffer Doping Technologies [J] . Raja P. Vigneshwara, Bouslama Mohamed, Sarkar Sujan, IEEE Transactions on Electron Devices . 2020,第6期

机译：Algan / GaN和Alinn / GaN的深层陷阱，具有不同缓冲掺杂技术的血管
2. Influence of GaN- and Si₃N₄-Passivation Layers on the Performance of AlGaN/GaN Diodes With a Gated Edge Termination [J] . Acurio Eliana, Crupi Felice, Ronchi Nicolo, IEEE Transactions on Electron Devices . 2019,第2期

机译：GaN和Si _{3 N _{4 钝化层对带门控端接的AlGaN / GaN二极管性能的影响}}
3. Микроволновые усилители мощности на AlGaN/GaN-транзисторах с двумерным электронным газом [J] . О.Т. Вендик, И. Б. Вендик, П.А. Туральчук, Письма в "Журнал технической физики" . 2016,第21期

机译：微波功率放大器中的AlGaN / GaN晶体管与二维电子气
4. Laser ablation for membrane processing of AlGaN/GaN- and micro structured ferroelectric thin film MEMS and SiC pressure sensors for extreme conditions [C] . J. Zehetner, G. Vanko, J.Dzuba, Smart sensors, actuators, and MEMS VII; and Cyber physical systems . 2015

机译：激光烧蚀用于极端条件下的AlGaN / GaN和微结构铁电薄膜MEMS和SiC压力传感器的膜处理
5. Optical Gain and Modal Loss in AlGaN Based Deep UV Lasers =Optischer Gewinn und modale Verluste in AlGaN-basierten UVC Laserdioden [D] . Martens, Martin Georg Rudolf. 2018

机译：基于AlGaN的深紫色激光器中的光学增益和模态损耗=基于Algan的UVC激光二极管中的光学利润和模态损耗
6. On the p-AlGaN-AlGaN/p-AlGaN Current Spreading Layer for AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes [O] . Jiamang Che, Chunshuang Chu, Kangkai Tian, 2018

机译：在基于AlGaN的深紫外发光二极管的p-AlGaN / n-AlGaN / p-AlGaN电流扩散层上
7. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом [O] . В.В. Емцев, Е.Е. Заварин, М.А. Козловский, 2016

机译：质子与晶体管结构与二维AlGaN / GaN通道相互作用的特征

Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅