一种RGB芯片、芯片安装方法及LED显示屏

摘要

本发明涉及MicroLED屏幕技术领域，提供了一种RGB芯片、芯片安装方法及LED显示屏，RGB芯片包括基板和设置在基板上的不同级别的RGB芯片；不同级别的RGB芯片的高度不同。一种芯片安装方法，芯片为RGB芯片，芯片安装方法包括将wafer晶片上的RGB芯片取出，在RGB芯片从wafer晶片取出的同时将RGB芯片调整至具有不同级别的RGB芯片，不同级别的RGB芯片的高度不同；在基板安装RGB芯片，可先将同一级别的芯片安装在基板上，再将另一个级别的芯片安装在基板上，最后将其他级别的芯片安装在基板上。一种LED显示屏包括若干个RGB芯片。RGB芯片的位置不偏移，安装精度高，RGB芯片的精度高。

说明书

技术领域

本发明涉及MicroLED屏幕技术领域，更具体地说，是涉及一种RGB芯片、芯片安装方法及LED显示屏。

背景技术

目前，RGB安装工艺，都是三种芯片一样厚。一般情况下，三种RGB芯片都是在三个不同的wafer上，这样第一种芯片放置的时候，这时候基板是空的，放置没有影响。第二种芯片放置的时候，因为第一种芯片已经放置好了，再次放置可能会影响第一种芯片放置的位置，如位置偏移等，无法满足芯片与基板的连接要求。

现有的RGB LED显示屏在安装过程中存在位置偏移，安装精度低的问题。

以上不足，有待改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种RGB芯片、芯片安装方法及LED显示屏，以解决现有技术中存在的RGB LED显示屏在安装过程中存在位置偏移和安装精度低技术问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种RGB芯片、芯片安装方法及LED显示屏

一种RGB芯片，包括基板和设置在所述基板上的不同级别的RGB芯片；

不同级别的RGB芯片的高度不同。

在一个实施例中，不同级别的RGB芯片包括R芯片、G芯片和B芯片；

所述R芯片、所述G芯片与所述B芯片的高度不同。

在一个实施例中，所述RGB芯片包括芯片本体和衬底，不同级别的所述芯片本体高度相同，不同级别的所述芯片的衬底的高度不同。

在一个实施例中，所述RGB芯片的高度不大于0.5mm。

在一个实施例中，所述R芯片为高度低等、高度中等和高度高等中任意一种高度；

所述G芯片与所述B芯片的分别为另两种高度。

在一个实施例中，所述衬底的高度分别为高度低等、高度中等和高度高等三种不同级别的高度。

在一个实施例中，所述高度低等的衬底与芯片本体构成高度低等芯片；

所述高度中等的衬底与芯片本体构成高度中等芯片；

所述高度中等的衬底与芯片本体构成高度中等芯片。

本发明的目的还在于提供一种芯片安装方法，所述芯片为所述RGB芯片，所述芯片安装方法包括：

将wafer晶片上的RGB芯片取出，在RGB芯片从wafer晶片取出的同时将RGB芯片调整至具有不同级别的RGB芯片，不同级别的RGB芯片的高度不同；

在基板上安装所述RGB芯片，不同级别芯片分别安装在基板上。

在一个实施例中，所在基板上安装所述RGB芯片；

可先将同一级别的芯片安装在所述基板上；

再将另一个级别的芯片安装在所述基板上；

最后将其他级别的芯片安装在所述基板上。

本发明的目的还在于提供一种LED显示屏，包括多个所述RGB芯片。

本发明提供的一种RGB芯片、芯片安装方法及LED显示屏的有益效果至少在于：

(1)本实施例提供的RGB芯片的位置不偏移，安装精度高，RGB芯片的精度高。

(2)采用本实施例提供的芯片的安装方法安装芯片，芯片的位置不偏移，安装精度高；

(3)本实施例提供的LED显示屏的芯片精度高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的RGB芯片的结构示意图。

其中，图中各附图标记：

1-芯片本体；

11-R芯片；

12-G芯片；

13-B芯片；

2-衬底；

21-低衬底；

22-中衬底；

23-高衬底；

3-基板。

具体实施方式

为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

需要说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接或者间接位于该另一个部件上。当一个部件被称为“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置为基于附图所示的方位或位置，仅是为了便于描述，不能理解为对本技术方案的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

请参阅图1，一种RGB芯片，包括基板3和设置在基板3上的不同级别的RGB芯片；

不同级别的RGB芯片的高度不同。

其中，不同级别的RGB芯片包括R芯片11、G芯片12和B芯片13；

R芯片11、G芯片12与B芯片13的高度不同。

其中，RGB芯片包括芯片本体1和衬底2，不同级别的芯片本体1高度相同，不同级别的芯片的衬底2的高度不同。

其中，RGB芯片的高度不大于0.5mm。

其中，R芯片11为高度低等、高度中等和高度高等中任意一种高度；

G芯片12与B芯片13的分别为另两种高度。

其中，衬底的高度分别为高度低等、高度中等和高度高等三种不同级别的高度。

其中，高度低等的衬底与芯片本体构成高度低等芯片；

高度中等的衬底与芯片本体构成高度中等芯片；

高度中等的衬底与芯片本体构成高度中等芯片。

一种芯片安装方法，芯片为RGB芯片，芯片安装方法包括：

S1、将wafer晶片上的RGB芯片取出，在RGB芯片从wafer晶片取出的同时将RGB芯片调整至具有不同级别的RGB芯片，不同级别的RGB芯片的高度不同；

S2、在基板3上安装RGB芯片，不同级别芯片分别安装在基板3上。

其中，所在基板3上安装RGB芯片；

可先将同一级别的芯片安装在基板3上；

再将另一个级别的芯片安装在基板3上；

最后将其他级别的芯片安装在基板3上。

一种LED显示屏，包括若干个RGB芯片。

以下详细描述RGB芯片的应用：

请参阅图1，一种RGB芯片，包括基板3和设置在基板3上的不同级别的RGB芯片；

不同级别的RGB芯片的高度不同。

本实施例提供的RGB芯片包括基板3和不同级别的RGB芯片，RGB芯片的级别根据RGB芯片的高度区分。设置在基板3上的为不同级别的RGB芯片，不同级别的RGB芯片具有不同的高度，在晶圆上相同级别的RGB芯片不接触。具体地，在晶圆上安装一种级别的RGB芯片，再安装另一种级别的RGB芯片，由于两种级别的RGB芯片的高度不同，故在安装第二种级别RGB芯片时，已安装的第一种RGB芯片不会出现干涉，在安装完第二种级别的RGB芯片时，可安装第三种级别的RGB芯片，第三种级别的RGB芯片与前两种级别的RGB芯片的高度均不同，第一种级别的RGB芯片与第二种级别的RGB芯片不会对第三种级别的RGB芯片的安装产生干涉。本实施提供的RGB芯片可保证RGB芯片在安装过程中位置不偏移，安装精度高，RGB芯片的精度高。具体地，在安装过程中，可先将同一级别的RGB芯片先安装在基板3上，该安装可一次性将该级别的RGB芯片都安装在基板3上，也可分批安装。第一种级别的RGB芯片安装好后，在将另一种级别的RGB芯片，由于两种级别的RGB芯片的高度不同，安装过程中不发生干涉，再安装其他级别的RGB芯片。具体地，在安装过程中，现在基板3上安装级别最低的RGB芯片，再贴着该级别最低的RGB芯片粘贴比级别最低的RGB芯片的级别高的芯片，在基板3上未安装RGB芯片时，基板3上是空的，安装的RGB芯片的位置不会产生影响，在已安装一个低级别的RGB芯片后，再安装比低级别的RGB芯片的级别高的RGB芯片，由于低级别的RGB芯片的高度比级别高的RGB芯片的高度低，所以，在安装级别高的RGB芯片示，低级别的RGB芯片不会产生影响，在基板3上安装RGB芯片的整个过程中，均不会对RGB芯片的安装产生影响，RGB芯片位置不偏移，安装精度高，RGB芯片的精度高。本实例的RGB芯片安装过程中，不仅限于先安装低级别的芯片，也可先安装高级别的芯片，只要不同级别的芯片分别安装在基板3上即可。本实例的RGB芯片不仅限于RGB芯片，还可扩展至其他芯片，只要芯片具备不同的高度差，便于安装，具备本申请的保护范围内。基板3包含PCB，玻璃和FPC等。

这样设置的有益效果在于：

本实施例提供的RGB芯片的位置不偏移，安装精度高，RGB芯片的精度高。

进一步地，不同级别的RGB芯片包括R芯片11、G芯片12和B芯片13；

R芯片11、G芯片12与B芯片13的高度不同。

本实施例提供的RGB芯片的R芯片11的高度可以为高度低等、高度中等或高度高等中任意一种高度，同理，G芯片12的高度可以为高度低等、高度中等或高度高等中任意一种高度，B芯片14的高度可以为高度低等、高度中等或高度高等中任意一种高度，只要R芯片11、G芯片12与B芯片13的高度不同即可。在RGB芯片的安装过程中，不局限于先安装R芯片11、G芯片12与B芯片13中那种芯片，只要R芯片11、G芯片12与B芯片14分开安装即可。同样可不极限与晶圆上的R芯片11、G芯片12与B芯片13是否一次性均安装上，也可分批安装。优选先将R芯片11、G芯片12与B芯片13中任意一种的所有芯片都先安装上，再安装另一芯片。本实施例提供的R芯片11、G芯片12与B芯片13分别从不同的wafer晶片中取出。

进一步地，RGB芯片包括芯片本体1和衬底2，不同级别的芯片本体1高度相同，不同级别的芯片的衬底2的高度不同。

本实施例提供的RGB芯片包括芯片本体1和衬底2，芯片本体1高度相等，不同级别的RGB芯片的衬底2的高度不同。本实施例的芯片本体1可包括R芯片本体、G芯片本体与B芯片本体，在芯片本体1底部的衬底2的高度设置成不同规格的，该不同规格体现在衬底的高度不同。具体地，本实施例的芯片本体1可从不同的wafer晶片上取出的RGB芯片，取出过程中在RGB芯片的底部设有不同级别的衬底，使得RGB芯片分为不同的级别，在安装RGB芯片时，先安装高度低的低级别的RGB芯片，再安装其他高度的不同级别的RGB芯片。

这样设置的有益效果在于：

本实施例提供的RGB芯片的衬底2为高度不同的不同级别的衬底2，安装简单，操作方便，成本低，加工速度快。

进一步地，RGB芯片的高度不大于0.5mm。

本实施例提供的RGB芯片的相邻级别的RGB芯片的高度差不大于0.1mm。具体地，位于芯片本体1底部的相邻级别的衬底2的高度差不大于0.1mm，此高度差是根据RGB芯片的高度确定。

在一个实施例中，R芯片为高度低等、高度中等和高度高等中任意一种高度；G芯片与B芯片的分别为另两种高度。

在一个实施例中，衬底2的高度分别为高度低等、高度中等和高度高等三种不同级别的高度，高度低等的衬底2与芯片本体构成高度低等芯片；高度中等的衬底2与芯片本体构成高度中等芯片；高度中等的衬底2与芯片本体构成高度中等芯片。

本实施例提供的RGB芯片的级别设置为3种，分别为高度低等芯片、高度中等芯片和高度高等芯片。具体地，在一个实施例中，芯片本体1的高度都是相同的，衬底2的级别的不同，将衬底2分为3种级别，分别为高度较低的低衬底21、高度中等的中衬底22和高度较高的高衬底23，低衬底21和芯片本体1构成高度低等芯片，中衬底22和芯片本体1构成高度中等芯片，高衬底23和芯片本体1构成高度高等芯片。对于不同级别的RGB芯片，在芯片本体1上安装不同级别的衬底2即可，操作简单，方便，效率高，成本低。

提供一种实施例，低衬底的高度为0、中衬底与低衬底之间具有高度差，高衬底与中衬底之间具有高度差。具体地，低衬底的高度为0mm，中衬底的高度为0.1mm，高衬底的高度为0.2mm。

提供一种实施例，低衬底的高度为0.1mm、中衬底与低衬底之间具有高度差，高衬底与中衬底之间具有高度差。具体地，低衬底的高度为0.1mm，中衬底的高度为0.2mm，高衬底的高度为0.3mm。需要强调的是，上述两种实施例提供的不同级别的衬底之间高度不局限于递增关系，只要两种级别的衬底具有高度差即可。优选地，芯片本体的厚度在0.1-0.15mm范围内，RGB芯片的高度不大于0.5mm。上述实施例仅提供两种优选方案，具体不同级别的衬底的高度，可根据实际情况调整。

这样设置的有益效果在于：

本实施例提供的RGB芯片设置有3种不同规格的RGB芯片，芯片安装简单，操作方便，成本低，安装效率高，安装错误率低。

请参阅图1，一种芯片安装方法，芯片为RGB芯片，芯片安装方法包括：

S1、将wafer晶片上的RGB芯片取出，在RGB芯片从wafer晶片取出的同时将RGB芯片调整至具有不同级别的RGB芯片，不同级别的RGB芯片的高度不同；

S2、在基板3上安装RGB芯片，不同级别芯片分别安装在基板3上。

在一个实施例中，所在基板3上安装RGB芯片；

可先将同一级别的芯片安装在基板3上；

再将另一个级别的芯片安装在基板3上；

最后将其他级别的芯片安装在基板3上。

具体地，本实施例提供的RGB芯片的安装方法可以为：

S1、将wafer晶片上的RGB芯片取出，在RGB芯片从wafer晶片取出的同时将RGB芯片调整至具有不同级别的RGB芯片；

S2、在基板3上分别安装不同级别的RGB芯片，可先将同一级别的芯片安装在基板3上；再将另一个级别的芯片安装在基板3上；最后将其他级别的芯片安装在基板3上。

本实施例提供的芯片安装方法可保证RGB芯片的不发生位置偏移，安装精度高。

请参阅图1，一种LED显示屏，包括若干个RGB芯片。

本实施例提供的LED显示屏包括若干个RGB芯片，RGB芯片的安装精度高。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。