• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> SiC单晶、SiC晶锭的制造方法和SiC晶片的制造方法

SiC单晶、SiC晶锭的制造方法和SiC晶片的制造方法

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

该SiC单晶，穿过俯视中心并沿着方向切断的切断面中的原子排列面、和穿过俯视中心并沿着垂直于所述方向的方向切断的切断面中的原子排列面，向同一方向弯曲。

著录项

  • 公开/公告号CN112639177A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昭和电工株式会社;

    申请/专利号CN201980053250.2

  • 发明设计人 野口骏介;藤川阳平;鹰羽秀隆;

    申请日2019-08-13

  • 分类号C30B29/36(20060101);C30B23/02(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人段承恩;李照明

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 10:32:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-05

    发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C30B29/36 专利申请号:2019800532502 申请公布日:20210409

    发明专利申请公布后的撤回

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号