具有不同晶体沟道生长方向的半导体器件的制造方法

摘要

一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。