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无掩模等离激元直写光刻系统

摘要

本发明公开了一种无掩模等离激元直写光刻系统,包括:光场调控芯片,用于激发产生表面等离激元作为直写光刻的曝光光场;等离子体直写光路,为光场调控芯片提供入射光;空间位相成像装置,包括探测器和变频光栅,变频光栅接收样品反射光并生成干涉条纹,探测器接收干涉条纹并判断光场调控芯片与样品的间距大小;被动调平装置,用于在高精度接触式曝光时被动调整芯片和样品表面的平行度;调节装置,用于调节光场调控芯片和样品的相对位置,通过空间位相成像装置可以精准的调节光场调控芯片与样品之间的间距大小,不需要复杂和高精密的系统设计,且制备成本低,可以实现更高的光刻精度,其精度可以达到20‑500nm。

著录项

  • 公开/公告号CN112558429A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学技术大学;

    申请/专利号CN202011480020.5

  • 发明设计人 王亮;许凯;郭松坡;

    申请日2020-12-14

  • 分类号G03F7/20(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人鄢功军

  • 地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号

  • 入库时间 2023-06-19 10:24:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-11

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G03F 7/20 专利申请号:2020114800205 申请公布日:20210326

    发明专利申请公布后的驳回

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