一种无源空腔型单晶FBAR与有源GaN HEMT的单片异质异构集成结构

摘要

本发明涉及一种无源空腔型单晶FBAR与有源GaN HEMT的单片异质异构集成结构，其包括支撑衬底、键合黏附层、已减薄的外延衬底、位于已减薄的外延衬底上GaN HEMT器件、位于支撑衬底上的空腔型单晶FBAR器件以及FBAR与GaN HEMT器件之间的互联金属。本发明通过单片异质异构集成的方式，提高了集成芯片的可靠性、功率容量和集成度，可用于实现FBAR与GaN HEMT单片集成的超低相振荡芯片、实现FBAR滤波器和GaN基功率放大器的单片集成放大器芯片，进而实现单片集成的射频前端芯片，从而提升射频前端芯片的可靠性、功率容量、集成度等性能，满足5GHz及以上频段的高性能应用需求。