公开/公告号CN112481696A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-12
原文格式PDF
申请/专利权人 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司;
申请/专利号CN202011276432.7
申请日2020-11-16
分类号C30B25/16(20060101);C30B23/02(20060101);H01L21/67(20060101);G01J5/00(20060101);G01K1/14(20210101);G01K7/02(20210101);G01K13/00(20210101);
代理机构61253 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李斌栋;沈寒酉
地址 710065 陕西省西安市高新区西沣南路1888号
入库时间 2023-06-19 10:13:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-16
专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B25/16 专利申请号:2020112764327 登记生效日:20220804 变更事项:申请人 变更前权利人:西安奕斯伟硅片技术有限公司 变更后权利人:西安奕斯伟材料科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:710065 陕西省西安市高新区西沣南路1888号 变更后权利人:710065 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室 变更事项:申请人 变更前权利人:西安奕斯伟材料技术有限公司 变更后权利人:西安奕斯伟硅片技术有限公司
专利申请权、专利权的转移
机译: 用于在沉积室中制造具有外延层的半导体晶片的方法,用于制造具有外延层的半导体晶片的设备以及具有外延层的半导体晶片
机译: 用于在沉积室中制造具有外延层的半导体晶片的方法,用于制造具有外延层的半导体晶片的设备以及具有外延层的半导体晶片
机译: 用于在沉积室中制造具有外延层的半导体晶片的方法,用于制造具有外延层的半导体晶片的设备以及具有外延层的半导体晶片