公开/公告号CN112466943A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-09
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN202011384359.5
申请日2020-12-01
分类号H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/20(20060101);H01L23/367(20060101);H01L23/373(20060101);
代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘长春
地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
入库时间 2023-06-19 10:08:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-18
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/778 专利申请号:2020113843595 申请公布日:20210309
发明专利申请公布后的驳回
机译: 制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
机译: 在gan半导体层中激活p型掺杂的方法
机译: p型掺杂gan层的方法用于器件制造