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公开/公告号CN112467034A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-09
原文格式PDF
申请/专利权人 南京理工大学;
申请/专利号CN202011267409.1
发明设计人 刘伟;孙超;苏桂荣;
申请日2020-11-13
分类号H01L51/40(20060101);H01L51/05(20060101);
代理机构32203 南京理工大学专利中心;
代理人刘海霞
地址 210094 江苏省南京市孝陵卫200号
入库时间 2023-06-19 10:08:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-05
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L51/40 专利申请号:2020112674091 申请公布日:20210309
发明专利申请公布后的撤回
机译: 肖特基势垒二极管和生产肖特基势垒二极管的方法
机译: 肖特基势垒二极管和制造肖特基势垒二极管的方法
机译:4H-SiC肖特基势垒二极管,结屏障肖特基二极管和引脚二极管的温度传感性能比较
机译:Al / N型Si肖特基势垒二极管温度依赖性肖特基势垒特性与Au-Cu酞菁层间
机译:肖特基势垒二极管壁集成沟槽MOSFET的4H-SiC m面{1(1)over-bar00}上的肖特基势垒高度的评估
机译:使用感应雷电应用测试的失效SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管的特性
机译:肖特基势垒二极管及其作为肖特基势垒电阻的应用
机译:具有增强的横向肖特基势垒均质性的低功率石墨烯/ ZnO肖特基UV光电二极管
机译:使用高斯型材的3C-SiC肖特基势垒二极管在200μm厚晶片中分析了3C-SiC肖特基势垒二极管的冲击式击穿电压
机译:肖特基势垒二极管及其方法