公开/公告号CN112442679A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-05
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN202010748060.7
申请日2020-07-30
分类号C23C16/455(20060101);C23C16/14(20060101);C23C16/18(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/40(20060101);C23C16/44(20060101);C23C16/458(20060101);C23C16/52(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构11286 北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人刘灿强;张川绪
地址 韩国京畿道水原市
入库时间 2023-06-19 10:06:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-08
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/455 专利申请号:2020107480607 申请日:20200730
实质审查的生效
机译: 降低源气体和反应气体的排放速度的气体注入头以及包括该气体注入头的用于沉积薄膜的原子层沉积设备
机译: 用于容器内部的内部阻挡层的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的设备,所述设备包括由电磁阀隔离的气体管线
机译: 包括相同的气体供应和层沉积设备