柔性InGaZnO薄膜晶体管及制备方法

摘要

本发明公开了一种柔性InGaZnO薄膜晶体管及制备方法。柔性InGaZnO薄膜晶体管，包括：柔性衬底，柔性衬底为柔性PI衬底；缓冲层，缓冲层位于柔性衬底上侧；ITO栅极，ITO栅极位于缓冲层上侧；高K介质层，高K介质层位于ITO栅极上侧；InGaZnO有源层，InGaZnO有源层位于高K介质层上侧；ITO源极，ITO源极位于有源层上侧；ITO漏极，ITO漏极位于有源层上侧。通过将栅极、源极和漏极的材料设置为ITO，使得薄膜晶体管整体具有良好的柔韧性和高透光率。