柔性InGaZnO薄膜晶体管及制备方法

摘要

本发明公开了一种柔性InGaZnO薄膜晶体管及制备方法。柔性InGaZnO薄膜晶体管，包括：柔性衬底、缓冲层、ITO栅极、高K介质层、InGaZnO有源层、源极、漏极，柔性衬底为柔性PI衬底，缓冲层位于柔性衬底上侧，ITO栅极位于缓冲层上侧，高K介质层位于ITO栅极上侧，InGaZnO有源层位于高K介质层上侧，源极位于有源层上侧，源极设置为圆柱结构，漏极位于有源层上侧，漏极设置为圆环结构，源极位于漏极中心。通过将源极设置为圆柱结构，将漏极设置为圆环结构，实现了中心对称型的沟道形状和传导电流分布，对机械形变和应力仍具备各项同性的特点，极大提升了InGaZnO薄膜晶体管的电学稳定性。