电吸收光调制器及其制造方法

摘要

一种电吸收光调制器包括：由多个层构成的多量子阱，多个层包括交替堆叠的多个量子阱层和多个势垒层，多个量子阱层和多个势垒层包括受体和供体；与多个层中的最上层接触的p型半导体层；以及与多个层中的最下层接触的n型半导体层，多量子阱的p型载流子浓度为p型半导体层的p型载流子浓度的10％至150％，并且在多量子阱中，与p型载流子浓度与n型载流子浓度之差对应的有效载流子浓度为多量子阱的p型载流子浓度的±l0％或更低。