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公开/公告号CN112345127A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-09
原文格式PDF
申请/专利权人 北京自动化控制设备研究所;
申请/专利号CN202011054177.1
发明设计人 韩士超;赵莹;王希洋;朱晓;谢耀;柏楠;
申请日2020-09-30
分类号G01L1/22(20060101);
代理机构
代理人
地址 100074 北京市丰台区云岗北里1号院3号楼
入库时间 2023-06-19 09:51:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-15
授权
发明专利权授予
机译: 一种用于生产单晶压阻的方法和具有这种压阻的压力传感器元件
机译: 一种用于测量纺织纱线或工业纱线上的张力的装置,具有多个相互切换的动力传输体,可移动地存储在装置中的探头以及填充有液体的压阻式压力传感器
机译: 硅膜压阻式压力传感器及其制造方法
机译:用于苛刻环境应用的多晶硅 - 绝缘体(PolysoI)和基于SOI的微压阻压力传感器的制造与表征
机译:微型绝缘体上硅MEMS压阻式压力传感器的计算机辅助建模
机译:使用绝缘体上硅(SOI)方法的多晶硅压阻压力传感器
机译:柔性基板上的MEMS压阻式压力传感器,采用镍铬合金和CNT /聚酰亚胺纳米复合材料作为压阻器。
机译:基于改性石墨/聚氨酯复合薄膜的耐磨压阻和压力传感器的新型制造方法
机译:一种基于改性石墨/聚氨酯复合薄膜制备耐磨,压阻和压力传感器的新方法
机译:Kilobar Blast压力传感器 - 使用硅传感器技术的3.4 Kilobar压阻式爆破压力传感器