公开/公告号CN112334232A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-05
原文格式PDF
申请/专利权人 三菱综合材料株式会社;
申请/专利号CN201980041943.X
申请日2019-07-03
分类号B02C19/18(20060101);B02C19/00(20060101);B02C23/36(20060101);C30B15/00(20060101);C30B29/06(20060101);H01L21/304(20060101);
代理机构11018 北京德琦知识产权代理有限公司;
代理人辛雪花;周艳玲
地址 日本东京
入库时间 2023-06-19 09:47:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-07-28
专利申请权的转移 IPC(主分类):B02C19/18 专利申请号:201980041943X 登记生效日:20230714 变更事项:申请人 变更前权利人:三菱综合材料株式会社 变更后权利人:高纯度硅股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京 变更后权利人:日本三重县
专利申请权、专利权的转移
机译: 用于破碎或产生半导体原料裂缝的方法,以及制造半导体原料的块的方法
机译: 用于破碎半导体材料的方法,产生裂缝的方法,以及制造半导体材料块的方法
机译: 半导体原料块支撑夹具的制造方法以及使用其的种晶和单晶