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半导体原料的破碎方法或裂纹产生方法及半导体原料块的制造方法

摘要

提供一种能够抑制伴随施加高电压脉冲而受到的来自电极材料的污染的半导体原料的破碎方法或裂纹产生方法及半导体原料块的制造方法。在对配置在液体中的半导体原料施加高电压脉冲而将半导体原料进行破碎的方法或使半导体原料产生裂纹的方法中,朝向被施加高电压脉冲的部分或电极部的周边部中的至少任一方供给新的流体,并从液体中抽吸排出新的流体及液体的一部分。

著录项

  • 公开/公告号CN112334232A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱综合材料株式会社;

    申请/专利号CN201980041943.X

  • 申请日2019-07-03

  • 分类号B02C19/18(20060101);B02C19/00(20060101);B02C23/36(20060101);C30B15/00(20060101);C30B29/06(20060101);H01L21/304(20060101);

  • 代理机构11018 北京德琦知识产权代理有限公司;

  • 代理人辛雪花;周艳玲

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-06-19 09:47:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-07-28

    专利申请权的转移 IPC(主分类):B02C19/18 专利申请号:201980041943X 登记生效日:20230714 变更事项:申请人 变更前权利人:三菱综合材料株式会社 变更后权利人:高纯度硅股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京 变更后权利人:日本三重县

    专利申请权、专利权的转移

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