一种MOS晶体管局部应力的引入技术

摘要

一种MOS晶体管局部应力的引入技术，属于半导体器件领域，尤其涉及关于在MOS晶体管栅极下面的沟道区引入局部应力的新技术。它的特征是先将在侧墙形成工艺步骤之后的MOS器件的栅极和侧墙用氮化硅薄膜覆盖，然后在MOS器件的源漏区上方区域淀积多晶硅，采用湿氧氧化法将多晶硅氧化成二氧化硅，在氧化过程中，体积膨胀，从而在MOS器件的沟道区引入应力。本发明工艺简单，与传统的MOS工艺兼容，成本较低，不仅适用于90纳米工艺节点以下的小尺寸器件，还可以推至0.13微米以上的较大尺寸的器件。