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用于确定与计算光刻掩模模型相关联的电磁场的方法

摘要

本文中描述一种用于确定与图案化过程的掩模模型相关联的电磁场的方法。所述方法包括:获得关注的掩模叠层区和与所述关注的掩模叠层区相对应的相互作用阶数。所述关注的掩模叠层区被划分成多个子区。所述关注的掩模叠层区具有与电磁波穿过所述关注的掩模叠层区的传播相关联的一个或更多个特性。所述方法包括:基于麦克斯韦方程和量子薛定谔方程来产生一个或更多个电磁场确定表达式。所述方法包括:使用所述一个或更多个电磁场确定表达式,基于所述关注的掩模叠层区的所述子区和与电磁波穿过所述关注的掩模叠层区的传播相关联的所述特性来确定与所述关注的掩模叠层区相关联的电磁场。

著录项

  • 公开/公告号CN112236722A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASML荷兰有限公司;

    申请/专利号CN201980030845.6

  • 发明设计人 彭星月;刘晶晶;

    申请日2019-04-16

  • 分类号G03F7/20(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人王益

  • 地址 荷兰维德霍温

  • 入库时间 2023-06-19 09:33:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-07-21

    授权

    发明专利权授予

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