公开/公告号CN112160020A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-01
原文格式PDF
申请/专利权人 晶科能源有限公司;四川晶科能源有限公司;
申请/专利号CN202011052877.7
申请日2020-09-29
分类号C30B15/04(20060101);C30B29/06(20060101);
代理机构11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司;
代理人肖丽
地址 334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号
入库时间 2023-06-19 09:24:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-30
著录事项变更 IPC(主分类):C30B15/04 专利申请号:2020110528777 变更事项:申请人 变更前:晶科能源有限公司 变更后:晶科能源股份有限公司 变更事项:地址 变更前:334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号 变更后:334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号 变更事项:申请人 变更前:四川晶科能源有限公司 变更后:四川晶科能源有限公司
著录事项变更
机译: 掺杂剂材料,掺杂剂材料的制造方法以及使用该掺杂剂材料的半导体装置
机译: 掺杂剂的选择方法,掺杂剂组成,碳-纳米/掺杂剂复合材料的制造方法,片状材料和碳-纳米/掺杂剂复合材料
机译: 生产方法例如两级选择性太阳能电池发射极,涉及在半导体本体的表面上产生掺杂剂源,构造掺杂剂源,以及将来自结构化掺杂剂源的掺杂剂插入半导体本体中