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掺杂剂加料器、掺杂半导体材料的制备系统及方法

摘要

本申请提供了一种掺杂剂加料器、掺杂半导体材料的制备系统及方法,涉及半导体材料制备技术领域。该掺杂剂加料器,用于掺杂半导体材料的制备,所述掺杂剂加料器为密封式结构,所述密封式结构的内部具有容纳空间,所述容纳空间用于盛装掺杂剂;其中,所述掺杂剂加料器的材质包括含硅材料,在制备所述掺杂半导体材料的过程中,所述掺杂剂加料器以及内部的掺杂剂在热场加热下适于形成熔体,用以制备所述掺杂半导体材料。本申请能够精确的控制掺杂剂的掺杂量,提供足够均匀的电阻率分布,提高生产效率,结构简单,操作方便。

著录项

  • 公开/公告号CN112160020A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202011052877.7

  • 发明设计人 肖贵云;白枭龙;尚伟泽;

    申请日2020-09-29

  • 分类号C30B15/04(20060101);C30B29/06(20060101);

  • 代理机构11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司;

  • 代理人肖丽

  • 地址 334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号

  • 入库时间 2023-06-19 09:24:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-30

    著录事项变更 IPC(主分类):C30B15/04 专利申请号:2020110528777 变更事项:申请人 变更前:晶科能源有限公司 变更后:晶科能源股份有限公司 变更事项:地址 变更前:334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号 变更后:334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号 变更事项:申请人 变更前:四川晶科能源有限公司 变更后:四川晶科能源有限公司

    著录事项变更

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