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郭世民;
北京市半导体器件五厂一车间;
半导体; 处延; 掺杂剂量; 算法;
机译:金属有机蒸气相外延生长半导体掺杂锡的β-Ga2O3同质外延层
机译:等离子体辅助分子束外延生长外延掺杂Mn的ZnO稀磁半导体薄膜
机译:基于分子束外延生长的梯度间隙p-Hg0.78Cd0.22Te的金属-绝缘体-半导体结构近表面半导体层中的掺杂剂
机译:用于逻辑应用的硅上III-V化合物半导体的异质外延:浅沟槽隔离结构中的选择性区域外延与应变松弛缓冲液介导的直接外延
机译:金属有机气相外延生长锰掺杂的锑化铟铟半导体薄膜中的铁磁性。
机译:利用原子层沉积的TiO2 / Al2O3栅叠层表征外延GaAs MOS电容器:Ge自掺杂和p型Zn掺杂的研究
机译:在钙钛矿半导体BasnO3的外延膜中由位错引起的掺杂位点依赖性散射
机译:脉冲激光烧蚀生长和外延化合物半导体薄膜的掺杂
机译:通过分子束外延生长掺杂的III-V合金层的方法以及包括具有通过这种方法生长的掺杂的III-V合金的外延层的半导体衬底的半导体器件的半导体器件
机译:形成包括第一外延层和形成在具有不同于第二外延层的导电类型的第一外延层之上的第二外延层的反掺杂半导体器件的方法
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