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一种DRAM内存驱动优化方法和装置

摘要

本发明公开一种DRAM内存驱动优化方法和装置,其中装置包括一个处理器和一组以上的DRAM内存芯片,所述处理器包括N组的内存数据接口,内存数据接口的数量大于DRAM内存芯片的数量,每组的所述内存数据接口包括一对DQS差分信号引脚和M位数据引脚,每组的所述DRAM内存芯片包括两个DRAM内存芯片,每个DRAM内存芯片包括M/2位的数据引脚和一对DQS差分信号,每组中的两个DRAM内存芯片组成M位数据引脚并与处理器的一组内存数据接口的M位数据引脚一对一连接。本方案每个内存芯片单独连接处理器的一对DQS差分信号引脚,这样不存在处理器的一对DQS差分信号引脚连接两个内存芯片的情况。从而避免了信号相位差带来的存储问题。

著录项

  • 公开/公告号CN112115077A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瑞芯微电子股份有限公司;

    申请/专利号CN202010897360.1

  • 发明设计人 何灿阳;

    申请日2020-08-31

  • 分类号G06F13/10(20060101);

  • 代理机构35219 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人徐剑兵;林祥翔

  • 地址 350003 福建省福州市鼓楼区软件大道89号18号楼

  • 入库时间 2023-06-19 09:16:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-19

    授权

    发明专利权授予

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