公开/公告号CN112115077A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-22
原文格式PDF
申请/专利权人 瑞芯微电子股份有限公司;
申请/专利号CN202010897360.1
发明设计人 何灿阳;
申请日2020-08-31
分类号G06F13/10(20060101);
代理机构35219 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙);
代理人徐剑兵;林祥翔
地址 350003 福建省福州市鼓楼区软件大道89号18号楼
入库时间 2023-06-19 09:16:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-19
授权
发明专利权授予
机译: 具有DRAM和缓冲存储器的内存逻辑复杂集成电路装置以及DRAM的内存和错误检测方法
机译: 1-晶体管型DRAM单元,DRAM装置及其制造方法,DRAM的驱动电路及其驱动方法
机译: 1-晶体管型DRAM单元,其DRAM装置及其制造方法,DRAM的驱动电路及其驱动方法