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ITO靶材高纯纳米氧化铟锡粉体制造方法

摘要

本发明公开了一种ITO靶材高纯纳米氧化铟锡粉体制造方法,包括以下步骤:将草酸铟和草酸锡或乙酸铟和乙酸锡按比例溶解于去离子水中形成透明的水溶液,再加入尿素或碳酸铵或碳酸氢铵将上述两种溶液混合后转入反应釜中,然后将反应釜置入烘箱中进行水热反应制备纳米氧化锡铟粉体。采用上述技术方案制备的纳米氧化铟锡粉体中无机酸根离子浓度可以控制10ppm以下,而且纳米氧化铟锡粉体的尺寸可由铵盐水解反应产生OH~离子控制。可生产高纯、致密度高的ITO靶材,为制造高端高质量的ITO薄膜提供可靠可选的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN112079378A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山智隆新材料科技有限公司;

    申请/专利号CN202010969350.4

  • 申请日2020-09-15

  • 分类号C01G19/00(20060101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构44710 广东科信启帆知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人吴少东

  • 地址 528400 广东省中山市板芙镇居委会板芙北路17号四海酒店A栋三楼D301(住所申报)

  • 入库时间 2023-06-19 09:12:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01G19/00 专利申请号:2020109693504 申请公布日:20201215

    发明专利申请公布后的驳回

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