具有铁电介质的二维材料双栅存算一体器件及制备方法

摘要

一种具有铁电背栅的二维材料双栅场效应器件，包括：绝缘衬底(100)，背部栅电极(200)，形成于绝缘衬底(100)上，铁电介质层(300)，形成于背部栅电极(200)上，以及，绝缘衬底(100)未被背部栅电极(200)覆盖的表面上，二维材料沟道(400)，形成于铁电介质层(300)上，漏电极(501)和源电极(502)，形成于铁电介质层(300)上，并且位于二维材料沟道(400)的两侧，顶部常规栅介质层(600)，形成于二维材料沟道(400)以及漏电极(501)、源电极(502)的表面上，顶部栅电极(700)，形成于顶部常规栅介质层(600)上。该器件结构可以实现将存储和计算集成在一个晶体管，具有功耗低、占用面积小，可推广性强的优点。