改善TiN薄膜连续性的表面处理方法

摘要

本发明公开了一种改善TiN薄膜连续性的表面处理方法，包括如下步骤：步骤S1，在硅衬底上生长二氧化硅层；步骤S2，利用含有强氧化剂的溶液对所述二氧化硅层的表面进行处理；步骤S3，在处理后的二氧化硅层的表面生长TiN薄膜。本发明提出采用含有强氧化剂的溶液处理二氧化硅表面，通过溶液的强氧化性使二氧化硅表面不饱和‑OH键作用成稳定的Si‑O‑Si桥键，在表面形成SiOx的致密钝化层，阻止了氧元素从二氧化硅跃迁到TiN中，从而保证了TiN生长的连续性，最终使得制备的TiN薄膜连续性好，并且厚度薄、均匀性好。