改善铜互连工艺中丘状凸起缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种改善铜互连工艺中丘状凸起缺陷的方法，包括：步骤S1，形成铜衬底图形的半导体器件；步骤S2，在半导体器件的表面沉积300℃～350℃的碳化硅薄膜作为作为铜溢出阻挡层；步骤S3，碳化硅薄膜沉积后利用300℃～350℃低温炉管工艺进行热退火处理，步骤S4，在铜溢出阻挡层的表面沉积作为刻蚀阻挡层的高温氮化硅薄膜。本发明在铜CMP之后400℃高温沉积氮化硅薄膜之前低温沉积一薄层的碳化硅薄膜并以其作为铜溢出阻挡层，还在铜溢出阻挡层形成后进行低温炉管退火处理，利用碳化硅层阻挡铜的溢出，降低铜的扩散，而且退火处理后的碳化硅层可以更好地与铜表面发生粘附，且退火后的铜性质也更加稳定，起到稳定铜表面的作用，进一步地改善丘状凸起的缺陷。