首页> 中国专利> 一种SiC MOSFET开关器件的驱动集成电路

一种SiC MOSFET开关器件的驱动集成电路

摘要

本发明涉及一种SiC MOSFET开关器件的驱动集成电路,包括:电压幅值转换模块、欠压保护模块、保护执行模块、输出缓冲模块和米勒平台改善模块。该驱动集成电路改善了功率管在开通过程中的VGS平台,使VDS下降速度加快,降低了损耗,避免了通过牺牲开关速度、增加开关损耗来换取振荡和过冲的减小,同时避免了电流尖峰;另外,本发明将驱动电路设计为集成电路大大减小了电路面积。

著录项

  • 公开/公告号CN112039506A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN202010740504.2

  • 申请日2020-07-28

  • 分类号H03K17/16(20060101);

  • 代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李园园

  • 地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

  • 入库时间 2023-06-19 09:06:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-08-08

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号