在物理气相沉积腔室中沉积的层中的电阻区(RA)控制

摘要

本文提供了将介电氧化物层沉积在PVD腔室中设置的或经由PVD腔室处理的一个或多个基板顶部的方法。在一些实施方式中，此种方法包括：在源材料处于第一磨蚀状态时并且在将第一量的RF功率提供到靶组件时将源材料从靶组件溅射到第一基板上，以将介电氧化物层沉积到具有期望电阻区的第一基板上；以及随后在源材料处于第二磨蚀状态时并且在将第二量的RF功率提供到靶组件时将源材料从靶组件溅射到第二基板上，其中第二量的RF功率低于第一量的RF功率达经计算以维持期望电阻区的预定量。