电子束正胶的曝光方法

摘要

本发明涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种电子束正胶的曝光方法，包括以下步骤：提供器件版图；根据刻蚀工艺的具体需求，选择电子束正胶的厚度；将所述器件版图的设计尺寸缩小以作为实验尺寸；根据所述实验尺寸以及选择的电子束正胶的厚度进行电子束曝光实验，调整曝光剂量来使光刻胶完全感光，以使所述实验尺寸曝光至所述设计尺寸，得到曝光剂量‑各设计尺寸的对应关系；根据曝光剂量‑设计尺寸的对应关系，根据待曝光的晶圆的设计尺寸施加对应的曝光剂量。