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公开/公告号CN111987008A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-24
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN202010446578.5
发明设计人 奥弗·尤利;萨姆尔·班纳;
申请日2020-05-22
分类号H01L21/66(20060101);G01B15/04(20060101);
代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国;赵静
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 08:59:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-13
授权
发明专利权授予
机译: 使用电子束扫描电子显微镜以非破坏性的方式在先进半导体器件中的高分辨率三维分析
机译: 在非破坏性方式中应用破坏性固件更新的方法和系统以及介质(在非破坏性方式中应用破坏性固件更新的系统和方法)
机译: 半导体器件及其制造方法,用于非破坏性检查的非破坏性检查方法和非破坏性检查设备
机译:使用聚焦离子束和扫描电子显微镜成像(纤维/ SEM断层扫描)的三维半导体器件研究
机译:先进半导体器件技术的趋势-片上Si系统和分立半导体器件集成的先进技术
机译:微电子器件结构的非破坏性非接触式电子束诊断
机译:化合物半导体器件的非破坏性,高分辨率通道温度测量
机译:半导体器件的先进数值模拟建模及其在金属半导体 - 金属光电探测器中的应用
机译:使用高分辨率光谱超声成像对三维胶原蛋白水凝胶中矿化的非侵入性定量的时空特征
机译:OCT与可见宽带光源应用于半导体光学器件的高分辨率非破坏性检查
机译:具有高分辨率和高对比度显微图(microCT)系统的先进元件和传感器的非破坏性表征,检测,故障分析;会议文件