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一种基于二碲化钯薄膜/n-型超薄硅范德瓦尔斯异质结的颜色探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于二碲化钯薄膜/n‑型超薄硅范德瓦尔斯异质结的颜色探测器及其制备方法,是由两彼此不接触的二碲化钯薄膜分别与n‑型超薄硅形成范德瓦尔斯异质结,该颜色探测器在正面受光与背面受光时的电流比,随被探测光波长的增大而单调降低,从而可根据电流比识别被探测光的波长。本发明的颜色探测器工艺简单、成本低廉、性质稳定、颜色识别度高。

著录项

  • 公开/公告号CN111952401A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥工业大学;

    申请/专利号CN202010866725.4

  • 申请日2020-08-26

  • 分类号H01L31/109(20060101);G01J3/50(20060101);H01L31/032(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构34101 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司;

  • 代理人卢敏

  • 地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号

  • 入库时间 2023-06-19 08:56:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-30

    授权

    发明专利权授予

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