一种范德瓦尔斯异质结型光电探测器及制备方法

摘要

本发明涉及光电探测技术领域，且公开了一种范德瓦尔斯异质结型光电探测器及制备方法，包括衬底和所述衬底的顶部固定安装有与底栅电极顶部连接的介质层。因为N型半导体MoS₂、P型有机半导体薄膜材料和石墨烯薄膜在可见光波段到近红外波段有直接吸收保障器件宽光谱探测；而N型半导体MoS₂具有较大电阻有效抑制器件暗电流，同时N型半导体MoS₂与P型有机半导体薄膜材料形成的异质结区能够有效分离光生载流子，从而实现器件高响应率，而表面层石墨烯作为高速透明电荷传输通道提高器件响应速度，从而本发明中光电器件相比已有MoS₂光电探测器具有响应波段宽、响应率高、响应速度较快等特点。