首页> 中文学位 >基于MXene/GaN范德瓦尔斯异质结的光电探测器和LED研究
【6h】

基于MXene/GaN范德瓦尔斯异质结的光电探测器和LED研究

代理获取

目录

第一个书签之前

声明

1 绪论

1.1二维材料概述

1.2MXene的发展历程

1.3MXene的结构与性质

1.3.1 MXene的结构

1.3.2 MXene的性质

1.4MXene的应用介绍

1.5MXene在光电领域的应用前景

1.6本工作的研究意义及主要研究内容

2 实验方法

2.1.1 Ti3AlC2 MAX相的制备

2.1.2 Ti3C2TX胶体溶液的制备

2.2Ti3C2TX的表征分析

2.2.1 透射电子显微镜

2.2.2 能谱仪

2.2.3 原子力显微镜

2.2.4 X射线衍射

2.2.5 拉曼光谱

2.3器件模型及原理

2.3.1 器件模型

2.3.2 能带结构及工作原理

2.4本章小结

3 Ti3C2TX/n-GaN异质结器件的光探测研究

3.2Ti3C2TX溶液浓度对器件性能的影响研究

3.2.1 暗态下的伏-安特性测试

3.2.2 光照下的伏-安特性和光响应测试

3.3Ti3C2TX/n-GaN异质结器件的光探测研究

3.3.1 光电探测器的性能指标

3.3.2 Ti3C2TX/n-GaN异质结器件的光探测性能

3.4本章小结

4 Ti3C2TX/p-GaN异质结器件的LED研究

4.2Ti3C2TX/p-GaN异质结LED器件的测试

4.3本章小结

5 总结与展望

5.2展望

致谢

参考文献

附录 攻读学位期间发表论文目录

展开▼

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号