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金属层光刻工艺热点的修复方法

摘要

本发明提供了一种金属层光刻工艺热点的修复方法,包括以下步骤:S1:提供用于形成金属层的掩膜版图形,掩膜版图形中具有若干工艺热点区域,所述工艺热点区域包括对应金属线的第一区域及对应接触孔的第二区域;执行步骤S2,S2:获取所述第一区域的边缘线中与第二区域之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段;执行步骤S3,S3:将所述扩展线段向外移动第二设定值以扩大所述第一区域,并更新所述掩膜版图形;S4:对更新后的掩膜版图形进行仿真;S5:当仿真失败时,则返回步骤S3,当仿真通过或仿真的次数达到第三设定值时,输出最新的所述掩膜版图形。本发明的金属层光刻工艺热点的修复方法可以提升金属层光刻工艺热点的修复效率。

著录项

  • 公开/公告号CN111929982A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN202010884271.3

  • 发明设计人 何大权;陈翰;赵宝燕;

    申请日2020-08-28

  • 分类号G03F1/72(20120101);G03F7/20(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹廷廷

  • 地址 201315 上海市浦东新区良腾路6号

  • 入库时间 2023-06-19 08:55:10

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