版图光刻工艺热点快速检测及修复技术研究

摘要

随着集成电路生产工艺进入亚波长技术节点，由于设计变得更加复杂，使用分辨率增强技术修复光刻工艺热点变得更加困难。为了解决这个问题，设计者在产品流片前必须对版图设计中的光刻工艺热点进行检测。因此，光刻工艺热点检查成为可制造性设计中的一项重要技术。
　　然而半导体技术节点的不断深入，流片中产生的光刻工艺热点的数量变得越来越庞大，检查速度变得越来越慢。解决上述问题，论文提出了模型优化和局部化光刻工艺热点仿真两种方法，可以有效加速光刻工艺热点的检查。PW简化模型在保证误报率不提升的情形下，可以提升仿真效率30%以上。局部化处理光刻工艺热点检查分为正向筛选与方向过滤。采用热点库方式的正向筛选方法，采用合适的热点图形佳尺寸，可以将光刻工艺热点检查的速度至少提升65%。论文还提出了两种特殊的光刻工艺热点检查方法，分别是改版类型的光刻工艺热点检查与IP固化的光刻工艺热点检查。检查效率的提升依赖于改动或固化区域的大小，区域越小效率越高。
　　工艺热点的查找完成后，设计者必然需要制造者提供光刻工艺热点修复指导。论文中根据光刻工艺热点的类型分类拓展已知光刻工艺热点，接而分批收集收据。最终给出了绕线层次线夹断、线桥接及接触孔不良的最佳修复方案。可以减少修复移动次数至少50%。

目录

第一章 引言

1.1集成电路发展介绍

1.2基本光刻工艺流程介绍

1.3先进光刻工艺的现状与挑战

1.4可制造性设计

1.5本章小结

第二章 版图光刻工艺热点检测方法

2.1基于光刻仿真的工艺热点检测方法

2.2基于已知热点图形的热点匹配模式

2.3基于机器学习的热点检测方法

2.4本章小结

第三章 加速光刻工艺热点检测的研究

3.1优化PW模型加速光刻工艺热点仿真

3.2区域化处理光刻工艺热点查找

3.3本章小结

第四章 光刻工艺热点的修复方法研究

4.1光刻工艺热点的分类

4.2光刻工艺热点的修复流程

4.3实验结果与实验分析

4.4本章小结

第五章 论文总结与工作展望

5.1论文总结

5.2工作展望

参考文献

致谢

攻读硕士学位期间已发表或录用的论文

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