公开/公告号CN111933547A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-13
原文格式PDF
申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;
申请/专利号CN202010647257.1
申请日2020-07-07
分类号H01L21/67(20060101);H01L21/312(20060101);H01L27/11521(20170101);H01L27/11524(20170101);H01L27/11551(20170101);H01L27/11568(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11578(20170101);C23C16/455(20060101);C23C16/52(20060101);
代理机构11479 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人金跃
地址 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
入库时间 2023-06-19 08:53:32
机译: 外延沉积之前对半导体晶圆的边缘进行修饰-通过使用成型工具研磨边缘以形成带有渐缩平面与表面合并的倒圆的边缘,并沉积外延冠
机译: 产品晶圆中具有多个芯片的半导体器件的制造方法-提供薄的晶圆部分以沉积芯片,并在较厚的部分上提供连接条
机译: 用于表面声波器件的晶圆级封装材料,使用封装材料的表面声波器件接合晶圆,从接合晶圆切割的表面声波器件以及封装材料,接合晶圆和表面器件的制造方法